ラピダスの公開特許公報4〜6件目はナノシート構造のGAA-FETの構成•製法の特許。
4件目•••ロジックと厚膜ゲートの入出力デバイスを同じ高さに形成
5件目•••pFETのキンク電流（ハンプ）をSiGe層の選択エッチ／絶縁で抑制
6件目•••ロジックとプレーナ型高耐圧FETを同一基板に形成どれもガチ！ pic.twitter.com/fNtQN4iPwp
— 五重 黄昏𝕏 (@arafifniharuwo) July 19, 2025
これを読めて、
技術者（理系の仕事人）としては半人前。
論文だけではなく、
特許も読めるようになると、
かなり心強いでっせ。
ラピダスとは
ラピダス、2ナノ半導体の試作品初公開 27年量産へ顧客開拓託すhttps://t.co/wVnlFtXer3
— 日本経済新聞 電子版（日経電子版） (@nikkei) July 18, 2025
